[发明专利]将半导体衬底对准底座台的方法及实施该方法的装置无效
| 申请号: | 98101184.5 | 申请日: | 1998-04-10 |
| 公开(公告)号: | CN1197283A | 公开(公告)日: | 1998-10-28 |
| 发明(设计)人: | 野末宽 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/027 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 用底座台对准半导体衬底的方法,包括步骤扫描形成于所说半导体衬底上的对准标记,以及确定所说对准标记的位置,其特征在于用电子束以一定的扫描角(θ),对准标记进行扫描;对每个扫描角(θ)计算所说对准标记沿扫描方向的宽度(W);从在步骤(b)计算出的宽度(W)中确定最小宽度。并定义与最小宽度有关的扫描角(θ)为所说半导体衬底与所说底座台之间的角间距(θ’)。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 衬底 对准 底座 方法 实施 装置 | ||
【主权项】:
1.一种将半导体衬底(20)与底座台(15)对准的方法,其中底座台上放置所说半导体衬底(20),在用电子束(10)于所说半导体衬底(20)上直接形成电路图形的工艺中,所说方法包括以下步骤:扫描形成于所说半导体衬底(20)上的对准标记(41,44,45),以及确定所说对准标记(41,44,45)的位置,其特征在于:(a)用电子束(10)以一定的扫描角(θ)横扫过对准标记(41,44,45)进行扫描,扫描角(θ)定义为所说的电子束(10)的方向和参考方向间的角度,该角为变化的;(b)对每个扫描角(θ)计算所说对准标记(41,44,45)沿扫描方向的宽度(W);以及(c)从在步骤(b)计算出的宽度(W)中确定最小宽度,并定义与最小宽度有关的扫描角(θ)为所说半导体衬底(20)与所说底座台(15)之间的角间距(θ’)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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