[发明专利]含大量绝缘栅场效应晶体管的高集成电路半导体器件

摘要

本发明的目的是提供一种包括高密度集成电路的半导体器件，其中具有大量尺寸小且提高了性能的绝缘栅场效应晶体管。通过使绝缘栅场效应晶体管的源接触直径大于漏接触直径，将源接触电阻设定在小于漏接触电阻的值，从而提高了晶体管的电流驱动能力，减小了驱动能力的偏差。

主权项

1.一种包括具有大量绝缘栅场效应晶体管的高密度集成电路的半导体器件，其特征在于，每个所述绝缘栅场效应晶体管的源接触电阻小于每个所述绝缘栅场效应晶体管的漏接触电阻，每个所述绝缘栅场效应晶体管的源接触塞由钨层构成，而漏接触塞由多晶硅层构成。