[发明专利]振荡电路及延迟电路无效
| 申请号： | 98100820.8 | 申请日： | 1998-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN1114991C | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 山田和志 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H03K3/02 | 分类号： | H03K3/02;H03K19/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种振荡电路为小面积可控制振荡频率、占空比、相位的振荡电路和一种延迟电路为可控制延迟时间、上升沿时间、下降沿时间的延迟电路。该电路是构成环形振荡器或串联连接的逻辑门电路的MOS晶体管的阱(在SOI器件上的沟道区和反相栅)分别电隔离，由分别连接可变偏置电压产生电路的输出改变阱电位。因此，各MOS晶体管的阈值可改变，可个别控制驱动电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 振荡 电路 延迟 | ||
【主权项】：
1.一种振荡电路，由MOS集成电路构成，所述振荡电路包括环形振荡器、反向偏置控制部分；其特征在于：所述环形振荡器由多段倒相器构成，且最终段倒相器的输出端反馈到最初段倒相器的输入端；所述倒相器由多个MOS晶体管构成，所述各MOS晶体管分别形成在多个第一导电类型的半导体阱区内和多个第二导电类型的半导体阱区内，并且所述各半导体阱区相互电隔离；相同导电类型的阱连接反向偏置控制部分，从而控制每个MOS晶体管的阈值电压，进而控制各个逻辑门电路的电流驱动能力、振荡频率、占空比及相位。
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