[发明专利]半导体光电器件

摘要

本发明提供一种和以前相比，光检测灵敏度更高，光遥控接收装置的接收距离更长的光接收装置。在由N型杂质区域构成的受光部形成在其中的P型半导体衬底上，形成第1P型杂质区域来作为消除电磁噪声的屏蔽部。该屏蔽部呈网格状覆盖受光部的一部分表面，以防止因它和受光部相互接触而引起的自发噪声过大。并且，形成比受光部深的第2P型杂质区域来包围第1P型杂质区域，以便消除来自半导体衬底侧面的电磁噪声。

主权项

1、一种半导体光电器件，包括第1导电型半导体衬底和在该半导体衬底的表面区域上形成的由第2导电型杂质区域构成的受光部，其特征在于：在上述受光部的表面区域上形成了一个由上述第1导电型杂质区域构成且用于消除电磁噪声的屏蔽部；上述屏蔽部只覆盖上述受光部表面的一部分，以免它和上述受光部的相互接触引起过大的自发噪声，上述屏蔽部占受光部表面的面积与受光部表面的面积比为0.25～0.95。