[发明专利]曝光用光掩模及其制造方法无效
| 申请号： | 98100557.8 | 申请日： | 1998-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1192543A | 公开（公告）日： | 1998-09-09 |
| 发明（设计）人： | 松浦诚司 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种可将具有一个台阶的需要的图形转移到半导体衬底S上的曝光掩模,具有由光阻膜形成的区域和半透明膜形成的区域。穿过半透明膜的曝光光线和穿过完全透明部分的曝光光线之间的理想光程差以及理想的掩模尺寸由半导体衬底中的台阶和需要的图形尺寸决定,根据理想的光程差和理想的掩模图形尺寸形成图形。给定半透明膜的厚度,以使穿过半透明膜的曝光光线和穿过完全透明部分的曝光光线之间的光程差基本上等于半导体衬底中的台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 用光 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于将所需图形传递到具有台阶的要曝光材料上的曝光掩模，所说曝光掩模为一单体，其构成使通过位于所说曝光掩模的第一区的孔图形的曝光光线的焦点与通过位于不同于所说第一区的第二区的孔图形的曝光光线的焦点彼此不同。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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