[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 98100463.6 | 申请日： | 1998-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1123933C | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 近松圣;渡边寿郎;井上寿明;小濑泰 | 申请（专利权）人： | NEC化合物半导体器件株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,黄敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，多个晶体管单元平行设置在半导体衬底(1)的主表面上。每个晶体管单元包括：成列设置的多个基本单元(20)，每个基本单元(20)包含形成在半导体衬底主表面上的栅极(8a)、形成在栅极两侧的漏极(1g)和源极(1e)；沿着基本单元一侧形成且与基本单元的各个漏极相连的漏引线电极(12)；沿着基本单元另一侧形成且与基本单元的各个栅极相连的栅引线电极(8)；形成在漏引线电极一端上的漏极焊盘(21)；在栅引线电极的一端上与漏极焊盘相反的一侧形成的栅极焊盘(22)；与漏引线电极和栅引线电极不交叉，通过源极接触(1d)与源极(1e)接触的源电极(2)；其中相邻晶体管单元的任一个漏引线电极和栅引线电极彼此靠近设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，多个晶体管单元平行设置在半导体衬底(1)的主表面上，所述每个晶体管单元包括：成列设置的多个基本单元(20)，每个基本单元(20)包含形成在所述半导体衬底的主表面上的栅极(8a)、形成在栅极的两侧区域内的漏极(1g)和源极(1e)；沿着成列设置的所述基本单元的一侧形成的且通常与梳状结构的所述基本单元的各个漏极相连的漏引线电极(12)；沿着成列设置的所述基本单元的另一侧形成的且通常与梳齿状结构的所述基本单元的各个栅极相连的栅引线电极(8)；形成在所述漏引线电极的一端上的漏极焊盘(21)；以及在所述栅引线电极的一端上所述漏极焊盘相反的一侧形成的栅极焊盘(22)；其中所述相邻晶体管单元的任何一个漏引线电极和栅引线电极彼此靠近设置，其特征在于还包括与所述漏引线电极和所述栅引线电极不交叉，通过源极接触(1d)与所述源极(1e)接触的源电极(2)。
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