[发明专利]芯片型半导体装置的制造方法

摘要

一种芯片型半导体装置的制造方法，是在半导体晶片表面形成多个半导体元件的电极上形成了金属补片后，粘合在印刷电极图形的绝缘性基片的表面，使半导体元件的金属补片和绝缘性基片的电极图形接合。绝缘性基片和半导体晶片的尺寸、形状相同。接着，仅将半导体晶片按半导体元件的尺寸切断分别。然后，在切割成小方块切口灌入密封树脂，遮蔽被分割的半导体元件，使树脂硬化后，将树脂随着绝缘性基片按每个器件切断、分割。

主权项

1.一种芯片型半导体装置的制造方法，其特征在于包括在半导体晶片表面的已知位置所形成多个半导体元件的电极上形成金属补片的第一工序；将在表面的已知位置所形成电极图形的绝缘性基片的该电极图形一侧和所述半导体晶片的半导体元件的形成面一侧粘结，将该电极图形和所述金属补片结合的第二工序；通过所述第二工序粘结的所述半导体晶片以及绝缘性基片中，仅将该半导体晶片按所述半导体元件各个大小切断分割的第三工序；在切断分割所述半导体晶片切口和所述半导体晶片上灌入液态树脂使之固化的第四工序；和将固化后的树脂和所述绝缘性基片同时切断，分别分离具有所述半导体元件的每个器件的第五工序；并且所述绝缘性基片的形状及大小与所述半导体晶片的形状及大小相同；用所述半导体晶片上的所述半导体元件的电极的位置座标数据所决定的位置形成所述绝缘性基片的电极图形；以及在所述第三工序中的切断分割的切断切口宽度比所述第五工序中的切断切口宽度要宽。