[发明专利]硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 98100136.X | 申请日： | 1998-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1149306C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 阿部孝夫;木村雅规 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 甘玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法中，使用一种具有尖点形状或是尖点截头之尖端的晶种。晶种尖端缓慢与硅熔体接触，并且以缓慢的速度降低晶种的高度，以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的面积增加到预定值。接着慢慢将晶种向上提拉，以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进行缩颈操作。此方法可以轻易地提拉出重的硅单晶，而不进行缩颈操作，同时不需要使用例如晶体固定机构等的复杂装置。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用柴克劳斯基法制造硅单晶的方法，其中，晶种与硅熔体接触，然后在旋转的同时缓慢地提拉，以便在晶种之下生长硅单晶晶锭，该方法包含下列步骤：提供具有要与硅熔体接触的尖端的晶种，所述的尖端具有尖点形状或是它的截头；缓慢将晶种尖端与硅熔体接触，然后以缓慢的速度降低晶种的高度，以便熔融晶种尖端部直到该尖端部的尺寸增加到预定值；以及接着慢慢将晶种向上提拉，以便生长出具有预定直径的硅单晶晶锭而不进执行缩颈操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社，未经信越半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98100136.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
