[发明专利]具有新布图的半导体器件

摘要

一种布局的半导体存储器件，其具有在第一导电型的半导体基片中形成的在第二导电型深阱，在所说的深阱中形成的一第一导电型的单元阵列阱，以及在所说的单元阵列阱周围形成并到达所说的深阱，以致于结合所说的单元阵列阱一第二导电型的隔离阱，因此，所说的单元阵列阱通过所说的隔离阱与半导体基片隔离，其中在隔离阱中形成用于驱动所说单元阵列的电路元件。

主权项

1.一种布局的半导体存储器件，其特征在于它包含有：(a)在第一导电型的半导体基片中形成有第二导电型的一深阱；(b)在所说的深阱上形成的第一导电型的单元阵列阱；(c)在所说的单元阵列阱周围形成并与所说的深阱邻接以致于将所说的单元阵列阱与所说的半导体基片隔离的第二导电型的隔离阱；(d)在所说的隔离阱中形成的用于驱动所说的单元阵列的一电路元件；(e)在所说的单元阵列阱中的一侧形成一存储单元和一读出放大器电路的第二导电沟道型元件；(f)在所说的隔离阱中的一侧形成的所说的读出放大器电路的一第一导电沟道型元件；(g)在所说的单元阵列阱中的另一侧形成的另一读出放大器电路的另一第二导电沟道型元件；以及(h)在所说的单元阵列阱中的另一侧形成的所述另一读出放大器电路的另一第一导电沟道型元件；其中在所述一侧上的所述第一导电沟道型元件和所述第二导电沟道型元件的排列与在所述另一侧上的所述另一第一导电沟道型元件和所述另一第二导电沟道型元件的排列相反。