[发明专利]热电半导体材料,及其制造方法和用该材料的热电微型组件及热锻造方法有效

专利信息
申请号: 97198779.3 申请日: 1997-09-16
公开(公告)号: CN1233347A 公开(公告)日: 1999-10-27
发明(设计)人: 福田克史;佐藤泰德;梶原健 申请(专利权)人: 株式会社小松制作所;小松电子株式会社
主分类号: H01L35/34 分类号: H01L35/34;H01L35/16
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 黄永奎
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的是提供一种具有充分强度与性能的、制造成品合格率高的热电半导体材料。本发明的特征是通过热锻造具有菱形结构(六面体晶体结构)的热电半导体粉末烧结材料并使其塑性变形,使粉末烧结组织的晶粒或构成晶粒的亚晶粒依性能性指数优良的结晶方位取向的方式而形成。
搜索关键词: 热电 半导体材料 及其 制造 方法 材料 微型 组件 锻造
【主权项】:
1.一种热电半导体材料的制造方法,其特征是包括:按具有所希望的组分混合材料粉末并进行加热熔融的加热工艺;形成具有菱形结构(六面体晶体结构)的热电半导体材料固熔锭的凝固工艺;将所述固熔体锭粉碎形成固熔体粉末的粉碎工艺;使所述固熔体粉末的粒径均匀的选粒工艺;将已成为粒径均匀的所述固熔体粉末加压烧结的烧结工艺;将所述粉末烧结体通过热进行塑性变形并延展,使粉末烧结组织的晶粒或构成晶粒的亚晶粒依性能指数优良的结晶方位取向的热镦锻锻造工艺。
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