[发明专利]在芯片堆砌结构中的无源网络和具有无源网络的电组件无效

专利信息
申请号: 97198329.1 申请日: 1997-09-25
公开(公告)号: CN1132204C 公开(公告)日: 2003-12-24
发明(设计)人: K·D·埃赫霍尔策;G·凯恩兹 申请(专利权)人: 埃普科斯股份有限公司
主分类号: H01G4/38 分类号: H01G4/38;H01G4/40;H01L27/01;H01C13/02;H01C1/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 马铁良,王忠忠
地址: 联邦德*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 在一个无源网络中,例如在芯片堆砌结构中的一个CC矩阵,多个电容的内导体在芯片晶片(10)的纵侧平面(L1)上作为端子(1到4)伸出。多个电容的共同接地电极(0)在芯片晶片(10)的两个端侧平面(S1、S2)上引出。
搜索关键词: 芯片 堆砌 结构 中的 无源网络 具有 组件
【主权项】:
1.具有芯片晶片(10,20)的芯片堆砌结构中的无源网络,芯片晶片(10,20)具有纵侧平面和两个端侧平面,其中,多个电容(C1至C4)的内导体从芯片晶片(10,20)的第一纵侧平面(L1)上作为第一电端子(1至4)引出,且多个电容(C1到C4)的共同的接地电极(0)在芯片晶片(10,20)的两个端侧平面(S1,S2)上引出,其中,在一个芯片晶片(10,20)的表面上并排设置相应于电容(C1到C4)的数量的电阻区域(R1到R4),该电阻区在其一个端部分别与所属的电容(C1到C4)的内导体和相应的第一电端子(1至4)相连接,且在其另一端部与芯片晶片(10,20)的与第一纵侧平面(L1)相对的第二纵侧平面(L2)上作为第二电端子(A至D)引出,且其中,在电阻区域(R1至R4)的表面设置有一个铁氧体晶片(F)。
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