[发明专利]图案形成方法无效
| 申请号： | 97192931.9 | 申请日： | 1997-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1107342C | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 大国充弘;久吴俊介;佐佐木智幸;立岩健二;二河秀夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图案形成方法是在基底膜(11)的上面加上有机防反射膜(12)后，在有机防反射膜(12)的上面形成抗蚀剂图案(15)，以抗蚀剂图案(15)为掩膜对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻、形成防反射膜图案，用含带有S成分的气体的蚀刻气体如SO2/O2组合的蚀刻气体或者COS/O2组合的蚀刻气体对有机防反射膜(12)进行干法蚀刻的由抗蚀膜作成的抗蚀剂图案形成的图案形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图案形成方法，是涉及具备有在基板上作成的基底膜的上面加上有机防反射膜的第1道工序和在上述有机防反射膜的上面形成抗蚀剂图案的第2道工序和以上述抗蚀剂图案为掩膜对上述有机防反射膜进行干法蚀刻、由上述有机防反射膜形成防反射膜图案的第3道工序的图案形成方法，其特征在于上述第3道工序包括用含有带S成分气体的蚀刻气体对上述基底膜不进行蚀刻，而对上述有机防反射膜进行干法蚀刻形成防反射膜图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97192931.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
