[发明专利]半导体装置和薄膜载带及其制造方法无效
| 申请号： | 97191450.8 | 申请日： | 1997-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1126163C | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 桥元伸晃 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为一种用薄膜载带制造，封装尺寸和芯片尺寸接近的半导体装置，能够在良好状态下注入密封树脂的半导体装置及其制造方法。薄膜载带32具有多条连接引线(24)、对连接引线(24)中几条相连接的连接部分和交叉部分进行冲孔形成的孔(29、31)和矩形孔(11～15)，通过矩形孔(11、15)注入树脂，矩形孔(12、14)防止树脂扩展，而孔(29、31)将树脂中空气去掉。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：将具有多条连接引线和多个孔的挠性基板，形成间隔配置在半导体芯片上方的工序；以及从上述孔中的至少一个孔向上述间隔注入树脂，而从其余孔中的至少一个孔去掉空气的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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