[发明专利]磁阻元件的制造方法无效
| 申请号： | 97182080.5 | 申请日： | 1997-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1251686A | 公开（公告）日： | 2000-04-26 |
| 发明（设计）人： | 高桥研;三浦聪;角田匡清 | 申请（专利权）人： | 高桥研 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;H01L43/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供更高感度地进行磁信号重放的磁阻元件的制造方法。本发明的磁阻元件的制造方法,其特征是具有以下的工序使制作非磁性体层和强磁性体层的成膜室内达到的真空度减压至大约10-9托以下的工序;在上述成膜室内导入至少含有氧和水的气体a,将成膜室内达到的真空度变成比大约10－9托高的一定压力,然后导入由Ar组成的气体b,使用上述气体a和上述气体b的混合气体,对上述基体的表面进行等离子体蚀刻处理的工序;以及在上述成膜室内,使用上述气体a和上述气体b的混合气体,使给定的靶进行溅射,由此利用溅射法在完成上述等离子体处理的基体上成膜非磁性体层和强磁性体层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、磁阻元件的制造方法，它是由在基体的表面上多次层叠强磁性体层且其中夹层非磁性体层而形成的结构体构成的磁阻元件的制造方法，其特征在于具有以下的工序：使制作上述非磁性体层和上述强磁性体层的成膜室内达到的真空度减压至大约10-9托以下的工序；在上述成膜室内导入至少含有氧和水的气体a，将成膜室内达到的真空度变成比大约10-9托高的一定压力，然后导入由Ar组成的气体b，使用上述气体a和上述气体b的混合气体，对上述基体的表面进行等离子体蚀刻处理的工序；以及在上述成膜室内，使用上述气体a和上述气体b的混合气体，使给定的靶进行溅射，由此利用溅射法在完成上述等离子体处理的基体上成膜上述非磁性体层和上述强磁性体层的工序。
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