[发明专利]半导体制品的制造方法无效
| 申请号： | 97126485.6 | 申请日： | 1997-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1123915C | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 坂口清文;米原隆夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体制品的制造方法，包括以下步骤：用扩散能控制导电类型的元素在Si衬底的至少一侧表面上形成扩散区；在包括扩散区的区域内形成多孔层；在多孔Si层上形成无孔半导体层来制备第1衬底；键合第1和第2衬底制成其中设置有无孔半导体层的多层结构；沿多孔Si层但不沿扩散区劈开多层结构；和除去劈开的第2衬底上残留的多孔Si层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制品 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体制品的制造方法，其特征是，包括以下工艺步骤：扩散能控制导电类型的元素，在Si衬底的至少一侧表面上形成扩散区；在包括所述扩散区和深度大于所述扩散区的区域内形成多孔Si层；在所述多孔Si层上形成无孔半导体层，制备第1衬底；键合第1衬底与第2衬底，制成其中设有无孔半导体层的多层结构；沿所述多孔Si层但不沿所述扩散层劈开所述多层结构；和除去所述劈开的第2衬底上残留的多孔Si层，其中，所述扩散层的深度控制在500埃至30微米的范围内，所述多孔Si层的深度控制在1微米至150微米的范围内，除去所述分开的第1衬底上残留的多孔层，把获得的衬底重新用作另一衬底材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
