[发明专利]结晶半导体的制造方法无效
| 申请号： | 97125255.6 | 申请日： | 1997-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1186326A | 公开（公告）日： | 1998-07-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;大谷久 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠,叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为覆盖非晶膜,设置构成掩模的氧化硅膜,在其上形成具有镍等促进结晶化的催化元素的覆膜,在此状态下如果进行热退火,催化元素从孔向非结晶硅膜中扩散,从而获得结晶硅膜。此硅膜具有结晶方向一致的特征。接着在照样附着有掩模的状态下,送入含有氯的气体。这时虽然在孔部分的硅膜上可使催化元素透过,但调整气氛与温度,形成不蚀刻硅膜厚度的氧化膜。在此工序中用卤素通过孔将硅膜中的催化元素去除,而硅的结晶性不变化。因此得到了良好的结晶性硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种结晶半导体的制造方法，具有：在非晶硅膜上形成具有催化元素导入孔的掩模膜的第一工序；在上述催化元素导入孔上形成具有催化元素的覆膜的第二工序；通过热处理，使非晶硅膜横向生长的第三工序；以及导入具有卤化物和氧的气体，并在450～700℃下，对上述横向生长的硅膜进行热处理的第四工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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