[发明专利]动态随机存取存储器无效
| 申请号: | 97123118.4 | 申请日: | 1994-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN1149580C | 公开(公告)日: | 2004-05-12 |
| 发明(设计)人: | 宇田明博;桥口昭彦;中川原明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | G11C11/401 | 分类号: | G11C11/401 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 萧掬昌;王忠忠 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种动态随机存取存储器,其中一种连接开关电路设置在一感应放大器和一数据总线之间,或设置在存储块之间,该存储块电路由相应的数据写/读控制信号控制,以便使其有能力以高速读取位线信号并可使集成电路的线路布局面积减小。 | ||
| 搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其中位线被划分且连接在存储块中的多个存储阵列上,该存储装置包括:读出放大器,用于每个存储阵列,各读出放大器由交叉连接在位线之间且连接在信号输送线和反相信号输送线之间的触发器组成,以互补电平的形式锁存位线对的数据,并将其放大;开关装置,用以连接属于毗邻存储阵列的位线,该开关装置由一对金属氧化物半导体晶体管组成,插入并分别连接到位线之间,其栅极一起连接到信号输送线;以及门装置,以并联形式连接到涉及位线的开关装置上,该门装置由两个反相器组成,各反相器内晶体管的漏极和栅极彼此连接,两反相器的漏极和源极分别接互补的信号输送线,其连接后的栅极分别连接到存储块和开关电路两侧之间,各反相器中互联的源极、漏极分别连接到开关电路和下一存储块之间的位线上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/97123118.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体存储器件
- 下一篇:核反应堆控制部件的驱动机构的冷却系统及冷却方法





