[发明专利]集成电路装置的合格率估算方法无效
| 申请号： | 97123057.9 | 申请日： | 1997-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1151548C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 黑田隆雄;石田秀树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高精度集成电路装置的合格率估算方法。输入芯片面积A、元件数、缺陷密度D等信息，算出元件密度TD、平均元件密度TDM。由表示合格率对缺陷密度及芯片面积A的依赖特性的斯塔珀公式等估算公式Y＝f(A)算出逆芯片面积A’。对于扩散工序中的各种集成电路装置，由比值(A’/A)和比值(TD/TDM)之间的关系数据决定最合适的函数关系g(TD/TDM)，并由其算出修正系数K。最后将K、A的值代入Y＝f(A*K)，算出预测合格率Y。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 合格率 估算 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路装置的合格率估算方法，包括以下步骤：输入集成电路装置内的元件数、所述集成电路装置的芯片面积、和所述集成电路装置的制造工序中的缺陷密度的步骤；算出单位面积上所述元件的数目即元件密度的步骤；选择表示预计的合格率对缺陷密度及芯片面积的依赖特性的估算公式的步骤；根据由所述步骤算出的所述元件密度对芯片面积进行修正的步骤；以及将所述修正的芯片面积和所述缺陷密度代入所述估算公式，算出所述集成电路装置的预测合格率的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
