[发明专利]半导体晶片的处理方法及其处理装置无效
| 申请号: | 97122951.1 | 申请日: | 1997-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN1142582C | 公开(公告)日: | 2004-03-17 |
| 发明(设计)人: | 小柳哲雄;山口弘;横田一夫;丹下浩一;三宗直文 | 申请(专利权)人: | 蓝天株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306;B08B3/08 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 半导体晶片的处理方法及其处理装置,水洗处理后,向已密闭的容器内供给温纯水。从被干燥介质没入状地浸泡在内的温纯水的水面,向容器上部空间供给有机溶剂的蒸汽或雾。充满之后,停止有机溶剂的供给,边从容器的底部一侧对温纯水进行吸引排液,边向该容器内供给惰性气体。吸引排液结束之前,进行控制管理,使得把容器内的减压度P1保持为设定减压度P。对容器内进行吸引减压的办法,进行被干燥介质的干燥处理。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 晶片 处理 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1、一种半导体晶片的处理方法,包括在密闭容器内进行从半导体晶片的清洗处理到干燥处理的一连串的处理,其特征是包括:把多片半导体晶片垂直并排状地运进放置在上述容器内,在进行完清洗处理中的水洗处理之后,向上述容器内供给温纯水的工序;从上述容器内的至少上述温纯水的水面向在其上部一侧确保的上部空间中供给有机溶剂的蒸汽或雾的工序;在停止了上述有机溶剂的供给之后,边从容器的底部吸引排液上述温纯水边从其上部一侧连续地供给惰性气体的工序;在上述温纯水的吸引排液结束之后,用继续进行的上述吸引使容器内吸引减压,使半导体晶片干燥的工序,以及,至少在从容器的底部一侧吸引排液温纯水的工序中,在温纯水的吸引排液结束之前,要进行管理控制,使得容器内的减压度保持在设定减压度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





