[发明专利]元件角隅阈值在几何方面的控制无效
| 申请号： | 97121223.6 | 申请日： | 1997-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1087503C | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | Ｗ·Ｓ·贝尔里;Ｊ·福尔;Ｗ·黑斯赫;Ｒ·Ｌ·莫勒尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,叶恺东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 圆化场效应晶体管导电沟道的各角隅或在沟渠结构的各边缘形成凹口，其中栅氧化膜和栅极的一部分形成得使栅氧化膜和栅极有效地卷绕晶体管导电沟道的一部分。特别是这种晶体管是按亚微米设计规程制造时，栅极的几何结构使导电沟道中的电场可以无需按一定角度注入杂质加以改变就可调节角隅导电在导电沟道中的作用。这样，用简单、有效和生产率高的制造工艺就可以修整接近截止点的导电性能，使其适合特定用途，而且可以减小导通/截止阈电压。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 阈值 几何 方面 控制 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：一个导电沟道，在周围环绕有沟槽结构的有源区内形成，导电沟道有一个基本上平面的表面；在沟槽结构中形成的绝缘材料，具有一个与所述导电沟道的基本平面的表面同平面的表面；一层栅氧化膜和一个栅电极，在所述导电沟道和所述绝缘材料上形成；且所述栅氧化膜和栅电极的一部分沿所述导电沟道在所述导电沟道与所述沟槽结构的界面侧的一部分延伸并填充所述凹陷。
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