[发明专利]带有电荷泄放阻挡层的改进型场发射器件无效

专利信息
申请号: 97119351.7 申请日: 1997-10-07
公开(公告)号: CN1178997A 公开(公告)日: 1998-04-15
发明(设计)人: 拉尔法·茨斯那罗斯;约翰·宋 申请(专利权)人: 摩托罗拉公司
主分类号: H01J1/30 分类号: H01J1/30;H01J9/02;H01J29/48;H01J19/24;H01J31/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杨国旭
地址: 美国伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种改进型场发射器件,包括一个支承基底,一个形成在支承基底上的导电层,一个形成在导电层上且界定出一个发射阱的介电层,一个设置在发射阱横侧面上的电荷泄放阻挡层,一个位于发射阱内的电子发射体,一个形成在介电层上且与电子发射体隔开一定距离的栅控提取电极,以及一个与栅控提取电极隔开一定距离的阳极。
搜索关键词: 带有 电荷 阻挡 改进型 发射 器件
【主权项】:
1.一种改进型场发射器件(200,800),其特征在于:一个具有主表面的支承基底(210,810);一个位于支承基底(210,810)的主表面上的导电层(215,815);一个具有主表面并位于导电层(215,815)上且界定出横侧面(245,845)的介电层(240,840),导电层(215,815)和介电层(240,840)的横侧面界定一个发射阱(260,860);一个位于发射阱(260,860)的一部分区域内并与发射阱(260,860)的横侧面(245,845)在空间共同伸展的电荷泄放阻挡层(290,890),电荷泄放阻挡层(290,890)具有一个适合于导开撞击其上的电荷的电阻;一个位于发射阱(260,860)之内并与导电层(215,815)欧姆接触的电子发射体(270,870);一个位于介电层(240,840)的主表面上且与电子发射体(270,870)隔开一定距离的栅控提取电极(250,850);以及一个相对于栅控提取电极(250,850)放置在顶部的阳极(280,880)。
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