[发明专利]液晶参数与盖板厚度间有优化关系的等离子体编址显示屏无效

专利信息
申请号: 97117818.6 申请日: 1997-07-11
公开(公告)号: CN1195154A 公开(公告)日: 1998-10-07
发明(设计)人: K·J·伊尔西辛;T·S·布泽克;P·C·马丁 申请(专利权)人: 特克特朗尼克公司
主分类号: G09F9/35 分类号: G09F9/35
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张志醒,陈景峻
地址: 美国俄*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种等离子体编址液晶显示屏,包括沟道基片、盖板、扭转向转液晶材料层、上基片、位于上基片的下表面的电极阵列,这里,VX是正常黑色模式中将使简单TN液晶单元从截止态转换为X%透明度的电压,dTD是盖板厚度,dLC是液晶材料层厚度,εTD是盖板的介电常数,ε1是液晶材料的垂直介电常数,ε1是液晶材料的平行介电常数,dLC△nLC在约0.4~0.5的范围,△nLC是液晶材料的折射率差。
搜索关键词: 液晶 参数 盖板 厚度 优化 关系 等离子体 显示屏
【主权项】:
1、一种等离子体编址液晶显示屏,包括:沟道基片,盖板,扭转向列液晶材料层,上基片,和位于上基片的下表面的电极阵列,其中[2.43(V90-V50)+V50][1+dTDdLC·ϵ1ϵTD]-0.9V10[1+dTDdLC·ϵ⊥ϵTD]≤25这里,VX是正常黑色模式中将使简单TN液晶单元从截止态转换为X%透明度的电压,dID是盖板厚度,dLC是液晶材料层厚度,εTD是盖板的介电常数,ε⊥是液晶材料的垂直介电常数,ε1是液晶材料的平行介电常数,dLCΔnLC在约0.4~0.5的范围,ΔnLC是液晶材料的折射率差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于特克特朗尼克公司,未经特克特朗尼克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/97117818.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top