[发明专利]三阱快速存储单元及其制造方法

摘要

本发明说明了一种快速存储单元结构，其中形成有三阱，存储单元位于P阱中，而P阱又位于P型衬底中的N阱中。该结构使得这种存储器可以在比现有技术器件低的工作电位下工作。还说明了制造该快速存储单元的方法。

主权项

1.一种存储单元，包括：具有一表面的第一导电类型半导体硅衬底；位于所述硅衬底中邻接所述表面的第一阱区，该第一阱区为与第一导电类型相反的第二导电类型；位于第一阱区中邻接所述表面的第二阱区，第二阱区为第一导电类型；邻接所述表面形成的浮栅晶体管，该晶体管包括：位于所述表面上且与之电隔离的浮栅；位于浮栅和源区上且与之电隔离的控制栅；位于第二阱区的源区，该源区为第二导电类型；位于第二阱区的漏区，该漏区为第二导电类型，源和漏邻近浮栅的周界区，但借助浮栅使其彼此隔开；位于第一阱区且与第二阱区隔开的第一接触区，该第一接触区是第二导电类型的，但比第一阱区导电性更好；及位于第二阱区且与源区和漏区隔开的第二接触区，该第二接触区为第一导电类型的，但比第二阱区导电性更好。