[发明专利]发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 97110806.4 | 申请日： | 1997-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1169036A | 公开（公告）日： | 1997-12-31 |
| 发明（设计）人： | 国里竜也;狩野隆司;上田康博;松下保彦;八木克己 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S3/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种发光器件包括由第一导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层，在第一导电类型的包层上形成并由含In的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的有源层，在有源层上形成并由Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的覆盖层，以及在覆盖层上形成并由第二导电类型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物系列半导体构成的包层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，其特征在于依次包括：由第一导电类型的化合物半导体构成的第一包层；由含铟的化合物半导体构成的有源层；由化合物半导体构成的覆盖层；以及由第二导电类型的化合物半导体构成的第二包层。
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