[发明专利]一种高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法无效
| 申请号： | 97106753.8 | 申请日： | 1997-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1218966A | 公开（公告）日： | 1999-06-09 |
| 发明（设计）人： | 沈鸿烈;李铁;沈勤我;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01F41/20 | 分类号： | H01F41/20;H01F10/08;H01F1/01 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 沈德新 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多层膜结构的高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法和材料。本方法采用超高真空电子束蒸发系统,系统配有二支电子枪,控制蒸发纯度均为99.9%的三种金属靶,从而制备成由软磁过渡层控制的三明治型高灵敏度巨磁电阻材料。本方法生长工艺简单,重复性好,各层金属膜结构简单,易于控制。使用的靶材料价格低廉,制备的多层膜巨磁电阻材料磁灵敏度高,巨磁电阻效应大,是一种不同于传统方法制备巨磁电阻材料的新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 磁电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高灵敏度巨磁电阻材料的制备方法，包括超高真空电子束蒸发系统，硅片或玻璃片衬底及衬底的有机化学溶剂和去离子水清洗、烘干工艺，其特征在于，超高真空电子束蒸发系统中配置的二支电子枪控制蒸发镍Ni、钴Co、铜Cu金属靶组份材料。
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