[发明专利]自调制激光基质晶体Cr4+,Yb3+∶Y3Al5O12无效
| 申请号： | 97106292.7 | 申请日： | 1997-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1062320C | 公开（公告）日： | 2001-02-21 |
| 发明（设计）人： | 徐军;邓佩珍;周国清 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 李兰英 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的自调制激光晶体Cr4+，Yb3+Y3Al5O12是以Y3Al5O12(YAG)作为基质，同时含有Cr4+和Yb3+两种离子和补偿离子Ca2+或Mg2+。因为在基质ＹＡＧ中，掺杂Yb3+离子的浓度可以高达１～２５ｍｏｌ％，则相应的Cr4+离子的调制范围也宽，利用Cr4+离子的可饱和吸收特性，对Yb3+的１．０３０ｍｍ激光实现自调Ｑ。很适宜做为ＩｎＧａＡｓ半导体或TiAl2O3钛宝石激光泵浦的激光器，可不外加调制元件，实现自调Ｑ。做成的激光器可以小型化、集成化和实用化。$#! | ||
| 搜索关键词： | 调制 激光 基质 晶体 cr4 yb3 y3al5o12 | ||
【主权项】：
1、一种自调制激光晶体Cr4+，Yb3+∶Y3Al5O12，以Y3Al5O12(YAG)作为基质，掺杂Cr4+和Yb3+离子，其特征在于在基质Y3Al5O12中掺有补偿离子Ca2+离子或者Mg2+离子，使Cr4+和Yb3+两种离子在基质YAG中同时共存，其中两种离子Cr4+和Yb3+的含量是提拉法生长的原料配方所决定，其具体的原料配方是：其中x=0.1～0.25，y=0.001～0.01，z=0.001～0.01。
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