[发明专利]集成电路空气桥结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 97105469.X 申请日: 1997-06-03
公开(公告)号: CN1167340A 公开(公告)日: 1997-12-10
发明(设计)人: 帕特里克·A·贝格利;威廉·R·扬;安东尼·L·里沃利;琼斯·A·德尔加多;斯蒂芬·J·高尔 申请(专利权)人: 哈里公司
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 美国佛*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在集成电路级的器件中引入导电部件。在介质层上形成包封于介质中的长导体,除去衬底或介质层的某些部分,把包封的长导体暴露于空气中。利用置于衬底中包封的导体之间的牺牲材料实现该方法。除去牺牲材料,便构成空气桥腔。本发明的方法还包括除去衬底的某些部分的步骤。在键合衬底结构中,器件衬底一般借助氧化键合层与支撑衬底键合在一起。槽式隔离技术是形成器件和键合衬底的常用步骤。最终结构是包封于与键合氧化层间隔开的介质中空气桥导体。
搜索关键词: 集成电路 空气 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体衬底中的空气桥结构,所述衬底中有一个或多个集成电路或半导体器件,该空气桥结构包括:有至少包围导体长度部分的介质敷层的长金属导体,所述外壳暴露于周围的空气中。
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