[发明专利]薄膜电子发射器器件以及采用它的应用设备无效
| 申请号： | 97104837.1 | 申请日： | 1997-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1105392C | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 楠敏明;铃木睦三 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨国旭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜电子发射器器件具有一种多层结构，该结构由其间夹有绝缘或介电层的上和下电极组成。该上或“顶”电极由依次叠置在该介电层上的界面层、中介或“中间”层以及表面层组成。该中间层用其升华焓大于表面层的升华焓但小于界面层的升华焓的材料制成。在适当的情况下，表面层可被省略，从而提供了两层结构而不是三层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电子 发射器 器件 以及 采用 应用 设备 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电子源器件，包括：一种多层薄膜结构，它包括上和下电极及在它们之间的绝缘层；所述上和下电极接收一个使所述上电极能够从其表面向真空发射电子的电压；所述上电极具有两层结构，该结构包括形成在所述绝缘层上的第一层和叠置在所述第一层上的第二层；且所述第一层用其升华焓大于所述第二层的选定材料制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所，未经株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97104837.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
