[发明专利]多孔复合氧化物制造方法无效
| 申请号： | 97103418.4 | 申请日： | 1997-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1074303C | 公开（公告）日： | 2001-11-07 |
| 发明（设计）人： | 权镐真;洪舜教;白桂东;金惠真;朴东坤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | B01J21/12 | 分类号： | B01J21/12;B01J35/10 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造多孔复合氧化物的方法。该方法包含以下步骤（a）制备含有氧化硅源的溶液和含有氧化铝源的溶液；（b）将步骤（a）中的一种溶液慢慢倒入另一溶液中，同时搅拌；（c）在步骤（b）制备的混合溶液中加入盐酸得到溶胶，接着向溶胶中加入氢氧化钠得到凝胶；（d）使在凝胶中的氧化硅源和氧化铝源在高温度压下反应。这种多孔复合氧化物具有大量微孔，而且孔径分布相对均匀，适于用作载体。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 多孔 复合 氧化物 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、制造多孔复合氧化物的方法，包括如下步骤：(a)制备含有硅氧化物的溶液和含有铝氧化物的溶液；(b)将步骤(a)所述的一种溶液缓慢倒入另一溶液中，同时搅拌；(c)向步骤(b)制备的所述混合溶液中加入盐酸得到溶胶，接着向所溶胶中加氢氧化钠，反应溶液pH值在3～12，得到凝胶；(d)在所述凝胶中于高温高压下使所述硅氧化物和铝氧化物进行反应；其中加热是在100～300℃，压力为100～1200psi的条件下进行。
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