[发明专利]半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器，包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管，其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成，基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层，它通过接触孔同时被接到基区和位线。该发射极是形成在作为二个相邻选行晶体管公共漏区的基区中的一个掺杂区。这种存储器件具有提高运行速度和提高集成度的能力。

主权项

1.一种半导体存储器结构，它包含一个半导体衬底、多个形成在上述半导体衬底上的字线、设置在衬底与字线之间的一个第一隔离层、多个形成在上述半导体衬底上的位线以及设置在衬底与位线之间的一个第二隔离层，其特征在于还包括：多个形成在上述半导体衬底上的行，每一行由多个存储单元组成且其一端接地，其中各存储单元是根据预定的程序从一个第一存储单元和一个第二存储单元中选出的一个构成的，第一存储单元与相应字线的信号无关而处于“通”，而第二存储单元根据相应的字线信号可在“通”与“断”之间转换；多个选行晶体管，各有一个接到相应行另一端的源极、一个接收相应的选行信号的栅极和一个公共漏区，其中的公共漏区用作二个相邻选行晶体管的漏极；以及多个电流驱动晶体管，各晶体管有一个由阱构成的收集极、一个由排列在阱上的公共漏区构成的基极以及一个由形成在公共漏区中并通过第二隔离层中的接触孔连接到相应位线的掺杂区构成的发射极。