[发明专利]恰克拉斯基法硅晶体生长系统的快速冷却无效
| 申请号： | 97102309.3 | 申请日： | 1997-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1163867A | 公开（公告）日： | 1997-11-05 |
| 发明（设计）人： | M·巴南;H·W·科布;K·M·基姆 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C03B15/00 | 分类号： | C03B15/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 徐汝巽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种生产单晶硅棒的恰克拉斯基法，其中，单晶硅棒从装在生长室内的坩埚中的硅熔体中拉出，在单晶硅棒从生长室内的硅熔体中拉出以后，通过向所说的生长室内引入在800°K的热导率至少为约55×10-5g·cal./(sec·cm2)(℃/cm)的气体冷却所说的生长室。优选的冷却气体是含氦气体。 | ||
| 搜索关键词： | 克拉 斯基法硅 晶体生长 系统 快速 冷却 | ||
【主权项】：
1、一种生产单晶的恰克拉斯基法，其中，所说的单晶硅棒从真空室内的坩埚中装载的硅熔体中拉出，该方法包括：在单晶硅从硅熔体中拉出之后，通过向所说的真空室内引入在800°K的热导率至少为约55×10-5g·cal./(sec·cm2)(℃/cm)的气体来冷却所说的真空室。
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