[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的目的在于制得已使电路面积缩小化的2口构成的半导体存储装置。解决方法是：交叉开关CBS_i(i＝0～5)在口交换信号PSEL为低(L)电平时从输出部分CS_i0输出第0口PORT_0用的控制信号的同时，从输出部分CS_i1输出第1口PORT_1用的控制信号；在口交换信号PSEL为高(H)电平时，从输出部分CS_i1输出第0口PORT_0用的控制信号的同时从输出部分CS_i0输出第1口PORT_1用的控制信号来执行口切换动作。

主权项

1.一种半导体存储装置，包括有：第1和第2位线；多条第1和第2字线，上述多条第1和第2字线互相一一对应；设于上述第1和第2位线之间的多个存储单元，上述多个存储单元分别具有可以得到逻辑上处于反相关系的信号的第1和第2节点，在上述多条第1字线中的一条第1字线处于激活状态时就把第1节点连到上述第1位线上，在上述多条第2字线中的一条第2字线处于激活状态时，就把第2节点连到上述第2位线上；其特征在于，上述半导体存储装置还包括：被连到上述第1位线上并根据上述第1位线的电位输出第1放大信号的第1读出放大器；被连到上述第2位线上并根据上述第2位线的电位输出第2放大信号的第2读出放大器；从外部接受输入信号，并根据上述输入信号从输出部分输出写入信号，同时从反相输出部分输出把上述写入信号进行了逻辑反相后的反相写入信号的写入信号输出装置；读出用的第1口；读出和写入用的第2口；上述第2口的写入动作通过连续进行第1和第2写入周期来执行，上述第1写入周期，先使作为上述多条第1字线内的一条第1字线的第1选择字线变成激活状态并以上述第1放大信号作为上述第1口的输出信号，再把作为上述多条第2字线内的一条第2字线的第2选择字线变成激活状态，使上述写入信号输出装置的反相输出部分和上述第2位线电连接，并把上述反相写入信号供给到上述多个存储单元中被连接到激活状态的第2选择字线上的写入对象存储单元的上述第2节点上；上述第2写入周期，先使上述多条第2字线内的与上述第1选择字线对应的第2字线变成激活状态并以上述第2放大信号作为上述第1口的输出信号，再使上述多条第1字线内的与上述第2选择字线对应的第1字线变成激活状态，使上述写入信号输出装置的输出部分和上述第1位线电连接，并把上述写入信号供到上述写入对象存储单元的上述第1节点上。