[发明专利]光电转换器件与图象读取器件无效
申请号: | 97101041.2 | 申请日: | 1997-01-22 |
公开(公告)号: | CN1146998C | 公开(公告)日: | 2004-04-21 |
发明(设计)人: | 小开;须川成利 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/101 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 范本国 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光电转换器件,包括:第一导电型的半导体衬底;在半导体衬底的一个表面上形成的多个第一半导体区,其导电类型与衬底的相反;配置在所形成的多个第一半导体区之间的第二半导体区,其导电类型与第一半导体区的相同;以及配置在第一和第二半导体区之间的第三半导体区,属于第一导电型,其杂质浓度比半导体衬底的要高,由于形成了导电类型与衬底相反的象素分隔区作为象素间的载流子陷阱,以便俘获无用的载流子,从而减小了串扰。一种图象读取器件,包括上述的光电转换器件和用于照明初始图象的光源。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 器件 图象 读取 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换器件,包括:第一导电型的半导体衬底;在所述半导体衬底的一个表面上形成的多个第一半导体区,其导电类型与所述衬底的相反;配置在所形成的所述多个第一半导体区之间的第二半导体区,其导电类型与所述第一半导体区的相同;以及配置在所述第一和第二半导体区之间的第三半导体区,属于第一导电型,其杂质浓度比所述半导体衬底的要高;其中所述第一半导体区被所述第二半导体区和第三半导体区所环绕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的