[发明专利]具有自对准局域深扩散发射极的太阳能电池及其制造方法

摘要

太阳能电池(10)，具有自对准金属电极(14)和下面的相对深的发射极区(21)以及在不被电极覆盖的表面下的相对浅的发射极区(22)，该太阳能电池在半导体衬底(12)中以下述方法形成：分别在硅半导体衬底(12)的前后表面上形成相对浅的p+和n+扩散区，以所希望的电极图形将铝丝网印刷到衬底的正面，热处理所制造的太阳能电池以形成在电极图形下的相对深的p+型发射极区(21)，同时在衬底表面未覆盖区上生长氧化物钝化层(18)，对未被电极所覆盖区域的正面施加抗反射涂层(19)，以及在太阳能电池的前后表面的电极上丝网印刷银(20)。

主权项

1.自对准局域深扩散发射极太阳能电池，包括：具有正面和背面的半导体衬底；以小于5×1018cm-3的掺杂浓度、小于0.2μm的深度形成于所述正面和背面之一中的p+型的多个第一发射极区；在形成有所述第一发射极区的半导体衬底表面上形成的比多个第一发射极区更深具有比多个第一发射极区更高的杂质浓度的p+型的多个第二发射极区，所述多个第一和第二发射极区交替形成；在所述正面和背面的另一个中形成n+型的杂质区；形成于所述杂质区之上的欧姆接触；以及包含在多个第二发射极区上形成的铝的第一图形化欧姆电极层。