[发明专利]电可编程存储器、编程方法以及读方法无效
| 申请号： | 96196585.1 | 申请日： | 1996-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1134019C | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·博尼 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种电可编程存储器，包括一个具有漏电极和源电极的浮动栅FET单元(10)；用于在编程时间(TP)向漏电极施加第一电压(VPP)的装置；用于在编程时间向源电极施加第二电压(VML)的装置，该第二电压在两个以上的电平之间是可变的，以便确定在浮动栅上引起的电荷量，从而确定将基本上独立于编程时间被编程到该单元中的多电平值。通过将累接或动态变化的电压施加到源电极来检测被编程到单元中的多电平值，并且检测单元中的电流来确定浮动栅上的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 存储器 编程 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.电可编程存储器，包括：一个浮动栅FET单元，它具有：一个漏电极，以及一个源电极；其特征在于所述电可编程存储器还包括：用于在编程时间向漏电极和源电极中的一个电极施加第一高电压的装置；用于在编程时间向漏电极和源电极中的另一个电极施加小于该第一电压的第二电压的装置，该第二电压在两个以上的电平之间是可变的，以便确定在浮动栅上感应的电荷量，从而确定独立于编程时间被编程到该单元中的多电平值。
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