[发明专利]带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管无效
| 申请号： | 96193819.6 | 申请日： | 1996-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1156028C | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 约汉·亚当·埃德蒙德;康华双 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 发光二极管的双异质结构，包括：具有第一导电类型的铝镓氮层；具有相反导电类型的铝镓氮层；和在铝镓氮层之间的氮化镓有源层，氮化镓层用II族受主和IV族施主一起掺杂，其中一种掺杂剂的量足以使氮化镓层有明确导电类型，有源层与有相反导电类型的相邻铝镓氮层形成p-n结。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 氮化 有源 双异质 结发 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种能发射可见光谱的兰光部分的双异质结构发光二极管，包括：导电碳化硅衬底(21)；在所述衬底上的缓冲层(22)；及在所述缓冲层上的双异质结构(24)；其特征在于：所述双异质结构包括：n型铝镓氮层(25)；在所述n型铝镓氮层(25)上的补偿n型氮化镓有源层(26)；及在所述氮化镓层上的p型铝镓氮层(27)，所述p型铝镓氮层和所述n型有源层形成p-n结。
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