[发明专利]具有纳米结构发射体的场发射器件中的电极及其制备方法无效
| 申请号： | 96180399.1 | 申请日： | 1996-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1130746C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | M·K·德比 | 申请（专利权）人： | 美国3M公司 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J9/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种包括一层设置在基板一个或多个表面中至少一部分上的分立固体微结构密集阵列的电极的电子场发射显示器，微结构的面积个数密度大于107/cm2，微结构分别共形地外覆一层或多层电子发射材料，外覆电子发射材料设置在微结构的至少一部分上，其表面形貌显现纳米级凹凸不平。还揭示一种制备本发明中所使用电极的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 发射 器件 中的 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子场发射装置(30)或矩阵寻址气体等离子体显示装置(10)中的电极，所述电极包括以一层(12、38)设置在基板(14、41)一个或多个表面中至少一部分上的分立固体微结构密集阵列作为阴极(20、32)，所述微结构的面积个数密度大于107/cm2，至少一部分所述微结构被共形地外覆一层或多层电子发射材料，所述外覆电子发射材料设置在每个所述微结构的至少一部分上，其表面形貌显现纳米级凹凸不平并提供每个微结构的多个场发射位置。
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