[发明专利]碳酰卤的制备无效

专利信息
申请号: 96180146.8 申请日: 1996-12-17
公开(公告)号: CN1212029A 公开(公告)日: 1999-03-24
发明(设计)人: F·J·弗雷雷;K·B·克廷;E·K·萨卡塔;J·A·特莱恩哈姆三世;小C·G·劳;J·S·纽曼;D·J·伊梅斯 申请(专利权)人: 纳幕尔杜邦公司
主分类号: C25B1/26 分类号: C25B1/26;C25B1/24
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢新华,周慧敏
地址: 美国特拉华*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 以一氧化碳和卤阴离子为原料生产碳酰卤,所用卤阴离子由基本不含水的卤化氢经电化学转化而得。无水卤化氢的氧化和碳酰卤的生成均在电解槽的阳极室中进行。这样就不需要用多个装置来进行这些反应。更且,不需要象现有技术那样使用催化剂来形成卤阴离子并随后制备碳酰卤。此外,还实际上消除了在高温下以卤代烃和大气氧为原料时伴随碳酰卤制备而产生的有害健康物质如光气。而且,无水卤化氢在氧化后产生的卤阴离子不含水,从而不需要在卤阴离子与一氧化碳进行反应之前增设预热器。因此,使用本发明可以比现有技术更方便、更安全、更价廉地生产碳酰卤。
搜索关键词: 碳酰卤 制备
【主权项】:
1一种制备碳酰卤用的电解槽,该电解槽包括(a)进口装置,它用来将基本不含水的卤化氢和一氧化碳分子引入阳极室;(b)氧化装置,它用来将基本不含水的卤化氢分子氧化成卤阴离子和质子,在该装置中,所述卤阴离子在阳极室中与一氧化碳发生反应,生成碳酰卤;(c)出口装置,它用来从阳极室释出所生成的碳酰卤;(d)阳离子输送装置,经其输送质子,该阳离子输送装置的一侧同氧化装置相接触;以及(e)还原装置,它用来还原所输送的质子,并置于同阳离子输送装置的另一侧相接触的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳幕尔杜邦公司,未经纳幕尔杜邦公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96180146.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top