[发明专利]函数发生电路无效
| 申请号: | 96122810.5 | 申请日: | 1996-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN1130773C | 公开(公告)日: | 2003-12-10 |
| 发明(设计)人: | 涉谷修寿;竹内久人;江口诚;佐伯高晴 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陆立英 |
| 地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
| 摘要: | 发生与周围温度Ta和基准温度To之差的3次方成比例的电流以实现晶振频率的高精度温度补偿。为此,设置了第1二极管列、第2二极管列、第3二极管列、第4二极管列、使第1二极管列流入恒定电流的电流源、使第3二极管列流出恒定电流的电流源、使得第2二极管列在Ta≥To时流入与Ta-To成比例的电流而且使第4二极管列在Ta<To时流出与|Ta-To|成比例的电流的电流源、集电极分别连接到输出端子的NPN晶体管和PNP晶体管以及用于分别向这2个晶体管供给电压的2个运算放大器。 | ||
| 搜索关键词: | 函数 发生 电路 | ||
【主权项】:
1.函数发生电路,这是用于发生与周围温度和基准温度之差的幂成比例的电流的函数发生电路,特征在于:具有与包括由第1个数的二极管构成的基准电位部分连接的第1二极管列;使得不依赖于周围温度的恒定电流流过上述第1二极管列那样地连接的第1电流源;与包括由多于上述第1个数的第2个数的二极管构成的上述基准电位部分连接的第2二极管列;使得与周围温度和基准温度之差成比例的电流流过上述第2二极管列那样地连接的第2电流源;用于输出电流的输出端子;具有连接到上述输出端子的集电极的输出晶体管;用于把上述第1二极管列产生的电压和上述第2二极管列产生的电压的差电压供给上述输出晶体管的基极和发射极之间的电压供给装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96122810.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种吊篮式垃圾焚烧锅炉
- 下一篇:木门(一)
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





