[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 96120651.9 | 申请日： | 1996-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1156333A | 公开（公告）日： | 1997-08-06 |
| 发明（设计）人： | 浦憲司 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/283;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪,朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有重复图形区的一种半导体器件中，在重复图形区重复排列着单一的布线图形并覆盖着由一层氧化硅膜和一层TEOSBPSG膜组成的多层绝缘膜，在重复图形区的边缘区的邻近区域内形成与布线图形导体同层形成的虚设导体。这样，定位在重复图形区边缘的最外层导体不再是在包括虚设导体在内的一个扩展的重复图形区中的最外层导体。这样，由于氧化硅膜和TEOSBPSG膜的不同热收缩系数引起氧化硅收缩产生的应力作用在重复图形区的最外层导体上，这种应力由此而得到缓冲，以致防止了最外层导体的移动，也防止了由最外层导体移动引起的短路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有重复图形区的半导体器件，在所述重复图形区重复排列着单一的布线图形并由多层绝缘膜覆盖，其特征在于改进为与布线图形导体同层形成的多个虚设布线导体形成在布线图形重复区的边缘区的邻近区域内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
