[发明专利]有稳定双极晶体管和肖特基二极管的半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 96119206.2 | 申请日： | 1996-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1083159C | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | 西田拓生 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L21/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王岳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造LDD结构的MOS晶体管和双极晶体管[或肖特基Schottky)势至二极管(SBD)]，在MOS晶体管区和双极晶体管区(或SBD)上面，形成栅绝缘层(8)。然后，在MOS晶体管区上面，形成栅电极(G、G’)。在整个表面上面，形成绝缘层，利用反应离子腐蚀工艺，对其进行深腐蚀，以便形成侧壁隔离层(12)。利用栅电极和其侧壁隔离层作为掩模。通过湿腐蚀工艺、腐蚀MOS晶体管区和双极晶体管区。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 双极晶体管 肖特基 二极管 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造BiMOS器件的方法，其包括：在半导体衬底(1)上面，分别形成第1和第2半导体层(6、6′、2)，所述第1半导体层限定一个MOS晶体管区，所述第2半导体层限定一双极晶体管区；在所述第1和第2半导体层上，形成栅绝缘层(8)；在所述第1半导体层的所述栅绝缘层上，形成栅电极(G、G′)；在所述栅电极上形成绝缘层(12)；利用反应离子腐蚀工艺，深腐蚀绝缘层，只在所述栅电极的侧壁上留下作为侧壁隔离层(12)的所述绝缘层；利用所述栅电极和所述侧壁隔离层作为掩模通过湿腐蚀工艺腐蚀所述第1和第2半导体层，该湿腐蚀工艺使用了由NH4OH/H2O2/H2O构成的氨水/过氧化氢水的混合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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