[发明专利]背接触太阳电池及其制造方法

摘要

太阳电池设计和制造方法，主要使用n型掺杂硅和铝来形成p-n结背接触太阳电池。铝合金结位于电池的背面，因此把铝的长处和背接触电池的优点结合起来了。该方法包括如下特点：表面结构化，正背表面场少数载流子镜，表面钝化，使用铝接触电极作为光反射器，因相邻的n⁺和p⁺区的对反偏压的内部保护，以及适于用表面安装技术进行互连电池的改进的主栅线接触设计。为了形成欧姆接触，使用自对准工艺。

主权项

1.一种背接触太阳电池，包括：有正表面和背表面的第一种导电类型的半导体本体层；在所述的本体层中靠近所述的背表面形成的多个间隔开的相反导电类的掺杂半导体区以及由此形成的多个半导体结；第一组间隔开的欧姆接触电极，它们沿着所述背表面排列并和所述的多个间隔开的掺杂半导体区相连接；第二组欧姆接触电极，它们在所述的第一组欧姆接触电极之间的间隙中，和所述的本体层的所述的背表面相连接；及用来将所述的第一组间隔的欧姆接触电极与所述的第二组欧姆接触电极电隔离开的绝缘层，其中，所述的第一组间隔开的欧姆接触电极由所述的本体层半导体材料和III族金属形成的合金构成，该III族金属用作所述的多个间隔开的掺杂半导体区域的受主掺杂剂。