[发明专利]用以形成半导体器件精细图形之方法无效
| 申请号： | 96114082.8 | 申请日： | 1996-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1079166C | 公开（公告）日： | 2002-02-13 |
| 发明（设计）人： | 裴相满 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个用以形成一个半导体器件之精细图形的方法，包括步骤提供一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成将要被蚀刻的一目标层；在所述目标层上形成一下光致抗蚀剂膜；在所述下光致抗蚀剂膜上形成一中间层；在所述中间层上形成一第一上光致抗蚀剂膜，该第一上光致抗蚀剂膜的蚀刻选择比不同于所述中间层的蚀刻选择比；用一第一曝光掩模选择性地曝光所述第一上光致抗蚀剂膜，形成第一上光致抗蚀剂图形并对该第一上光致抗蚀剂图形进行热处理；用所述第一上光致抗蚀剂图形作掩模，选择性地蚀刻所述中间层以形成中间层图形；在所得结构上形成一第二上光致抗蚀剂膜；以及用一第二曝光掩模选择性地曝光所述第二上光致抗蚀剂膜，使得所述第二上光致抗蚀剂膜的未曝光的部分与所述第一上光致抗蚀剂图形部分地重叠，以形成第二上光致抗蚀剂图形。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 形成 半导体器件 精细 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.用以形成半导体器件精细图形的方法，包括步骤：提供一个半导体衬底；在所述半导体衬底上形成将要被蚀刻的一目标层；在所述目标层上形成一下光致抗蚀剂膜；在所述下光致抗蚀剂膜上形成一中间层；在所述中间层上形成一第一上光致抗蚀剂膜，该第一上光致抗蚀剂膜的蚀刻选择比不同于所述中间层的蚀刻选择比；用一第一曝光掩模选择性地曝光所述第一上光致抗蚀剂膜，形成第一上光致抗蚀剂图形并对该第一上光致抗蚀剂图形进行热处理；用所述第一上光致抗蚀剂图形作掩模，选择性地蚀刻所述中间层以形成中间层图形；在所得结构上形成一第二上光致抗蚀剂膜；以及用一第二曝光掩模选择性地曝光所述第二上光致抗蚀剂膜，使得所述第二上光致抗蚀剂膜的未曝光的部分与所述第一上光致抗蚀剂图形部分地重叠，以形成第二上光致抗蚀剂图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
