[发明专利]显像管高压磁场再生法无效
| 申请号： | 96113033.4 | 申请日： | 1996-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1177196A | 公开（公告）日： | 1998-03-25 |
| 发明（设计）人： | 周力 | 申请（专利权）人： | 周力 |
| 主分类号： | H01J9/50 | 分类号： | H01J9/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330034 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种显像管再生激活的方法,是在显像管的栅极对阴极加以较高的正电压进行离子溅射激活,并同时在阴、栅极周围施加一恒定的或交变的或旋转的附加磁场,使电子运动的轨迹偏离电场等位面法线,使溅射剥蚀区由无附加磁场时的一个点扩展成一个面,乃至整个阴极表面;栅极对阴极所施加正电压由常规的300V以下提高到3000V以下。本发明提出的措施可以有效地延长再生管的使用寿命和提高老化显像管再生激活的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 显像管 高压 磁场 再生 | ||
【主权项】：
1、一种老化显像管再生激活的方法，其特征是在显像管的栅极与阴极之间加以较高的正电压进行离子溅射激活，并同时在阴、栅极周围施加一个附加磁场。
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