[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 96112233.1 | 申请日： | 1996-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1076520C | 公开（公告）日： | 2001-12-19 |
| 发明（设计）人： | 朴賛光;高堯焕 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有在绝缘层上生长硅的结构的半导体器件及其制造方法，其中，在有源硅衬底的每一侧壁上形成厚的氧化硅膜，由此，使有源硅衬底边缘的阈值电压增加。该半导体器件包括，第１硅衬底，在其上形成的第１氧化硅膜，在第１氧化硅膜上形成的第２硅衬底，分别位于第２硅衬底的两侧壁上的第２氧化硅膜，在第２硅衬底上形成的栅氧化膜，在栅氧化膜上形成的栅电极，以及分别形成在栅电极两侧那部分第２硅衬底中的源／漏杂质扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括，硅衬底；形成在所说的硅衬底上的第1氧化硅膜；形成在所说的第1氧化硅膜上的有源层；分别形成在所说的有源层的两侧壁上的第2氧化硅膜；所说的有源层上的栅氧化膜；形成在所说的栅氧化膜上的栅电极；以及分别限定在所说的栅电极两侧的所说的有源层部分内的源/漏杂质扩散区，所述半导体器件还包括形成在所述的有源层和所述的每个第2氧化硅膜之间的界面处的掺杂区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/96112233.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造成型夹板的方法
- 下一篇：用于在使用时混合至少两种产品的热塑塑料盘
- 同类专利
- 专利分类
