[发明专利]钕铁硼磁卡及其制造方法无效
| 申请号： | 96111456.8 | 申请日： | 1996-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1183597A | 公开（公告）日： | 1998-06-03 |
| 发明（设计）人： | 李颖伦;张轶超;韦秋阳;刘克龙 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨市新中新电子有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/00 | 分类号： | G06K19/00 |
| 代理公司： | 黑龙江省松花江专利事务所 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 钕铁硼磁卡及其制造方法,它由基质层3、两层覆盖层2组成,在基质层上穿有若干行列通孔4,在通孔内填充有未充磁的钕铁硼6,两层覆盖层分别固化在基质层的上下两面上。对填充后的钕铁硼磁性材料按编码要求进行充磁。本发明采用的钕铁硼材料导磁率低,矫顽力大,剩磁感应强度高,去掉外磁场后能保持强的磁稳定性。充磁需专用充磁机、所以抗破坏防伪力强。它还具有成本低、易于大规模工业化生产、不怕磨等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 钕铁硼 磁卡 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、钕铁硼磁卡，它由基质层(3)、两层覆层(2)组成，其特征在于在基质层(3)上穿有若干行列通孔(4)，在通孔(4)内填充有未充磁的钕铁硼磁性材料(6)，两层覆盖层(2)分别固化在基质层(3)的上下两面上。
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