[发明专利]磁传感器和磁盘记录系统无效

专利信息
申请号: 96111157.7 申请日: 1996-08-20
公开(公告)号: CN1068950C 公开(公告)日: 2001-07-25
发明(设计)人: 哈德亚尔·S·基尔;布鲁斯·A·格内 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 酆迅
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种磁电阻(MR)传感器包括两个不同的自旋阀结构。每个自旋阀包括由一个非磁性材料薄膜层隔开的第一(自由)和第二(钉扎)铁磁材料层。各个自旋阀中铁磁材料钉扎层的磁化方向是固定的,它们的磁化置为相互是逆平行的。产生电流流过该MR传感器,并感测由于自由铁磁材料层中磁化的转动而导致的作为所感测磁场函数的MR传感器磁电阻的变化而造成的MR传感器两端的电压变化。$#!
搜索关键词: 传感器 磁盘 记录 系统
【主权项】:
1.一种磁盘记录系统,包括:具有多条记录数据的磁道的磁存储介质;一个磁传感器,在所述磁传感器和所述磁存储介质之间的相对运动期间,所述磁传感器相对于所述磁存储介质保持很小间距位置,所述磁传感器包含一个磁电阻读传感器,该磁电阻读传感器包括:第一和第二分层结构,所述第一和第二分层结构由一个隔离层隔开,各个所述分层结构包括由一层非磁性材料隔开的第一和第二铁磁体材料层,在各个所述分层结构中固定所述第二铁磁材料层的磁化方向的装置,所述第一分层结构中的所述第二铁磁材料层的所述磁化方向固定为和所述第二分层结构中的第二铁磁材料层的磁化方向逆平行,产生流过所述磁电阻传感器的电流的装置,由于各所述分层结构中所述第一铁磁材料层里磁化转动,所述磁电阻传感器对外部磁场作出响应产生电阻率的变化;同所述磁传感器连接的致动器装置,用于把所述磁传感器移动到所述磁存储介质的选定磁道上;以及同所述磁电阻读传感器连接的检测装置,用于感测所述磁电阻材料中对磁场起反应而产生的电阻率变化,这些磁场代表着由所述磁电阻传感器侦听的记录在所述磁存储介质中的数据位。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96111157.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top