[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

提供一种不附加任何特殊制造步骤而使制造过程中的半导体器件免遭等离子体施加的脉冲式高电位的毁坏的方法。形成延伸到薄膜晶体管栅极的第一线路。在第一线路上生成第一绝缘层。在该绝缘膜上形成连接到薄膜晶体管的源区的第二线路。在第二线路上生成第二绝缘膜。然后在第二绝缘膜上形成导电图案。在第一和/或第二线路上形成放电图案。在形成导电图案的同时，把第一和/或第二线路切断。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，它包括以下步骤：在基片上形成包含一个用于薄膜晶体管的栅极的第一接线；在所述第一接线上生成一个层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第二接线，所述第二接线连接到所述薄膜晶体管的源区和漏区中的一个；在所述第二接线上生成一个第二层间绝缘层；在所述第二层间绝缘层上生成一个导电薄膜；以及接着通过刻蚀把所述导电薄膜构成图案，其中，至少在生成所述第二层间绝缘层和所述导电薄膜期间把所述第一和第二接线彼此短路，其中，所述第一和第二接线中的至少其中之一备有一个放电图案，该放电图案具有减少或消除在各制造步骤中通过所述接线传播的脉冲电位的功能，并且其中，利用所述构成图案的步骤把所述第一和第二接线在电气上彼此分离。