[发明专利]存贮器集成电路及其制造方法

摘要

一种由低功率来驱动并减小存贮单元面积的存贮器集成电路和一种用来制造该存贮器集成电路的方法。在一半导体基片上形成多个具有旋转９０°Ｈ形状的源极区域。四条字线具有通过每条字线的一不同源极，因而独自地形成四个晶体管驱动。这四个晶体管被设计成共用一位线，因而将该晶体管的驱动电压降低为１／４Ｖｃｃ。由于低功率驱动，在一小面积上形成四个晶体管和一电容，因而将存贮单元尺寸减小到３３％以上。

主权项

1、一种半导体存贮器集成电路，其形成在一半导体基片上并包括：一有源区域，其特征在于，每个有源区域具有一H形状；通过每一有源区域的字线；连接到各自字线的全程字线；用来连接未接到该全程字线的字线的带条字线；在该字线的两侧的有源区域中所形成的源极和漏极；与该有源区域的漏极相接触的位线；和与该源极相接触并存贮该存贮器集成电路的一电荷的电容；其中对于每个有源区域通过4×4条字线并且该四条字线独自地被驱动。