[发明专利]制作半导体台面侧向电流限制结构的技术

摘要

本发明涉及制作半导体台面侧向电流限制结构的技术，衬底在生长上目标器件要求的材料后被腐蚀或刻蚀成台面，采用气相外延生长含阻塞层的二次外延层，然后将对应于台面上方的部分阻塞层挖穿，再生长三次外延层。由于避免了现有技术中的带掩膜的生长工艺，该方法适用于各种衬底，而且工艺过程易于控制，工艺容差大，并能够获得更好的器件性能。

主权项

1．一种制作半导体台面侧向电流限制结构的方法包含第一个步骤，在衬底材料上进行第一次外延生长，生长出目标器件所要求的一次外延层，其特征在于，它还含有下列步骤：第二步，将所述一次外延层腐蚀或刻蚀成目标器件所要求的形状的台面；第三步，采用气相外延方法或金属有机化合物气相淀积方法进行第二次外延生长，在所述台面四周的衬底上和台面上方生长包含阻塞层的二次外延层；第四步，采用通常的套刻工艺，将二次外延层中与所述台面形状相同、面积相等且垂直对应于台面上方的部分挖掉，使台面重新露出，而台面四周未被挖及的二次外延层的部分则保留，也可以在台面上方保留一层二次外延层中不影响电流通过的材料；第五步，进行第三次外延生长，生长出能够将第四步的挖除工艺所造成的凹陷填平并具有一定厚度的三次外延层。